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半导体器件的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-23 发布于四川
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半导体器件的制备方法.pdf

    本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底内形成有第一沟槽，且在所述第一沟槽的侧壁上形成有屏蔽层。在所述衬底表面及所述第一沟槽内形成阻挡层。去除所述衬底表面及所述第一沟槽底部的所述阻挡层，并且所述屏蔽层上保留有所述阻挡层。去除所述第一沟槽底部的部分厚度的所述衬底，以形成第二沟槽。由此，本发明通过在所述第一沟槽内壁上的所述屏蔽层上加设一阻挡层，以使得在后续形成及氧化所述第二沟槽的过程中，避免所述屏蔽层被损耗，保证工艺效果，提高器件性能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112164648 A (43)申请公布日 2021.01.01 (21)申请号 202011052421.0 (22)申请日 2020.09.29 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司

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