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LDMOS开关器件及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-05-23 发布于四川
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LDMOS开关器件及其制作方法.pdf

    本申请提供了LDMOS开关器件及其制作方法。该LDMOS开关器件包括第一半导体衬底以及栅极、栅氧化层、漂移区和源/漏区，源/漏区中的漏区位于漂移区中，器件还包括半导体层，位于第一半导体衬底的一侧，半导体层具有远离第一半导体衬底一侧的第一表面，栅氧化层位于第一表面上，栅极位于栅氧化层远离第一表面的一侧，源/漏区位于栅极两侧的半导体层中；绝缘氧化层，位于半导体层与第一半导体衬底之间；电荷陷阱层，位于绝缘氧化层与第一半导体衬底之间。电荷陷阱层能够用于陷阱住漂移区感应产生的电荷，不会产生衬底和漂移区之间

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116137285 A (43)申请公布日 2023.05.19 (21)申请号 202111372404.X (22)申请日 2021.11.18 (71)申请人 苏州华太电子技术

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