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用于测试邻近的半导体器件中的桥接的方法和测试结构.pdfVIP

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  • 2023-05-23 发布于四川
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用于测试邻近的半导体器件中的桥接的方法和测试结构.pdf

    测试邻近的半导体器件之间的桥接的方法包括在半导体衬底上形成图案化的扩散区域，并且在扩散区域上方形成第一导电层。将第一导电层图案化成与图案化的扩散区域相同的图案。去除第一导电层的暴露部分以暴露扩散区域的部分。在扩散区域的暴露部分上方形成源极/漏极区域，并且在源极/漏极区域上方形成介电层。在介电层上方形成第三导电层。沿着第一方向去除第二导电层的相对端部以暴露第一导电层的相对的第一和第二端部。测量第一导电层的相对的第一和第二端部之间的第一导电层两端的电阻。本发明的实施例还涉及测试结构。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112164716 A (43)申请公布日 2021.01.01 (21)申请号 202010967774.7 H01L 29/40 (2006.01)

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