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功率器件及其基于自对准工艺的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-23 发布于四川
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功率器件及其基于自对准工艺的制造方法.pdf

    本发明的实施例公开一种功率器件及其基于自对准工艺的制造方法。所述方法包括：外延；沉积二氧化硅；刻蚀二氧化硅；刻蚀划片道；清洗；沉积薄氮化硅；沉积二氧化硅；沉积薄氮化硅；干法刻蚀掩膜；源区离子注入；掩膜腐蚀；阱区离子注入；清洗；沉积二氧化硅，光刻刻蚀后进行基区注入；碳膜工艺及高温激活；后续氧化、栅电极、源漏电极、接触退火及钝化等工艺，完成器件制备。所述功率器件由所述方法制造得到。本发明的实施例能提高沟道的均匀性，能减少光刻版数目、光刻次数和工艺成本，适用于碳化硅MOSFET的大规模量产。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112164653 A (43)申请公布日 2021.01.01 (21)申请号 202011025267.8 (22)申请日 2020.09.25 (71)申请人 深圳基本半导体有限公司

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