微电子工艺学试卷(A卷)及参考答案.docVIP

姓名一、密封线内不准答题。二、姓名、学号不许涂改，否那么试卷无效。三、考生在答题前应先将姓名、学号、年级和班级填写在指定的方框内。

姓名

一、密封线内不准答题。

二、姓名、学号不许涂改，否那么试卷无效。

三、考生在答题前应先将姓名、学号、年级和班级填写在指定的方框内。

四、试卷印刷不清楚。可举手向监考教师询问。

学号

所在年级、班级

装

订

注意

意：

线

电子科学与技术专业《微电子工艺学》试卷〔A卷〕

题号

一

二

三

四

总分

题分

24

16

30

30

100

得分

一、判断以下说法的正误，正确的在后面括号中划“√〞，错误的在后面括号中划“×〞〔本大题共12小题，每题2分，共24分〕

1、用来制造MOS器件最常用的是〔100〕面的硅片，这是因为〔100〕面的外表状态更有利于控制MOS器件开态和关态所要求的阈值电压。〔√〕

2、在热氧化过程的初始阶段，二氧化硅的生长速率由氧化剂通过二氧化硅层的扩散速率决定，处于线性氧化阶段。〔×〕

3、在一个化学气相淀积工艺中，如果淀积速率是反响速率控制的，那么为了显著增大淀积速率，应该增大反响气体流量。〔×〕

4、LPCVD紧随PECVD的开展而开展