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一种利用多层二维晶体掩膜制备氮化镓单晶衬底的方法.pdfVIP

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  • 2023-05-24 发布于四川
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一种利用多层二维晶体掩膜制备氮化镓单晶衬底的方法.pdf

    本发明公开了一种利用多层二维晶体掩膜制备氮化镓单晶衬底的方法。本发明利用层状结构的二维晶体分离层和厚膜分离层结合原位刻蚀和高温退火等方法制备低位错密度的GaN厚膜，二维晶体分离层和厚膜分离层作为二维晶体掩膜能够防止在GaN厚膜中引入热失配应力，提高GaN单晶衬底的晶体质量，位错密度低，且具有良好的尺寸扩展能力；基板能够重复利用，工艺简单，节能环保；利用多层二维晶体掩膜实现多块GaN单晶衬底的单次原位制备与分离，能够提高产率并降低生产成本。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115579280 A (43)申请公布日 2023.01.06 (21)申请号 202211239724.2 (22)申请日 2022.10.11 (66)本国优先权数据 202111374520.5

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