微波元器件课件.pptVIP

实际的功率分配器终端负载往往是特性阻抗为Z0的传输线, 而不是纯电阻, 此时可用λg/4阻抗变换器将其变为所需电阻, 另一方面U2、U3等幅同相, 在“②、③”端跨接电阻Rj, 既不影响功率分配器性能, 又可增加隔离度。于是实际功率分配器平面结构如图 5 - 20 所示, 其中Z04、Z05及Rj 由以下公式确定: 图 5-20 实际功率分配器平面结构图 (2) 微带环形电桥 微带环形电桥是在波导环形电桥基础上发展起来的一种功率分配元件。 其结构原理图如图 5 - 21 所示, 它由全长为3λg/2的环及与它相连的四个分支组成, 分支与环并联。 其中端口“①”为输入端, 该端口无反射, 端口“②、 ④”等幅同相输出, 而端口“③”为隔离端, 无输出。其工作原理可用类似定向耦合器的波程叠加方法进行分析。在这里不作详细分析, 只给出其特性参数应满足的条件。  图 5 – 21 微带环形电桥结构 设环路各段归一化特性导纳分别为a、 b、 c, 而四个分支的归一化特性导纳为1。则满足上述端口输入输出条件下, 各环路段的归一化特性导纳为 a=b=c= 而对应的散射矩阵为 3. 波导分支器 将微波能量从主波导中分路接出的元件称为波导分支器, 它是微波功率分配器件的一种, 常用的波导分支器有E面T型分支、H面T型分支和匹配双T。  (1) E-T分支 E面T型分支器是在主波导宽边面上的分支, 其轴线平行于主波导的TE10模的电场方向, 简称E-T分支。其结构及等效电路如图 5 - 22 所示, 由等效电路可见, E-T分支相当于分支波导与主波导串联。  图 5 - 22E-T分支结构及等效电路 当微波信号从端口“③”输入时, 平均地分给端口“①、 ②”, 但两端口是等幅反相的; 当信号从端口“①、②”反相激励时, 则在端口“③”合成输出最大; 而当同相激励端口“①、②”时, 端口“③”将无输出。 由此可得E-T分支的［S］参数为 (2)H-T分支  H-T分支是在主波导窄边面上的分支, 其轴线平行于主波导TE10模的磁场方向, 其结构及等效电路如图 5 - 23 所示, 可见H-T分支相当于并联于主波导的分支线。  当微波信号从端口“③”输入时, 平均地分给端口“①、②”, 这两端口得到的是等幅同相的TE10波; 当在端口“①、②”同相激励时, 端口“③”合成输出最大, 而当反相激励时端口“③”将无输出。 H-T分支的散射矩阵为 图 5 - 23H-T分支结构及等效电路 (3) 匹配双T 将E-T分支和H-T分支合并, 并在接头内加匹配以消除各路的反射, 则构成匹配双T, 也称为魔T, 如图 5 - 24 所示。它有以下特征:  图 5 – 24 魔T的结构 ① 四个端口完全匹配;  ② 端口“①、 ②”对称, 即有S11=S22;  ③ 当端口“③”输入, 端口“①、②”有等幅同相波输出, 端口“④”隔离;  ④ 当端口“④”输入, 端口“①、 ②”有等幅反相波输出, 端口“③”隔离;  ⑤ 当端口“①”或“②”输入时, 端口“③、④”等分输出而对应端口“②”或“①”隔离;  ⑥ 当端口“①、 ②”同时加入信号, 端口“③”输出两信号相量和的 倍, 端口“④”输出两信号差的 倍。  端口“③”称为魔T的H臂或和臂, 而端口“④”称为魔T的E臂或差臂。  根据以上分析, 魔T各散射参数有以下关系: 网络是无耗的, 则有  ［S］+［S］=［I］ (5 - 2 - 36) 以上两式经推导可得魔T的［S］矩阵为 总之, 魔T具有对口隔离, 邻口 3 dB耦合及完全匹配的关系, 因此它在微波领域获得了广泛应用, 尤其用在雷达收发开关、 混频器及移相器等场合。  5. 3 微波谐振器件 在低频电路中, 谐振回路是一种基本元件, 它是由电感和电容串联或并联而成, 在振荡器中作为振荡回路，用以控制振荡器的频率; 在放大器中用作谐振回路; 在带通或带阻滤波器中作为选频元件等。在微波频率上, 也有上述功能的器件, 这就是微波谐振器件, 它的结构是根据微波频率的特点从LC回路演变而成的。微波谐振器一般有传输线型谐振器