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- 2023-05-24 发布于四川
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目的在于提供能够对恢复动作时的第一P型半导体层的电场集中进行抑制的技术。半导体装置具有漂移层、N型半导体层以及第一P型半导体层、第二P型半导体层、电极、以及绝缘层。N型半导体层以及第一P型半导体层以彼此横向相邻的状态配置于漂移层的下方。绝缘层以与第二P型半导体层以及电极接触的状态配置于第一P型半导体层的上方。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 109075211 A
(43)申请公布日
2018.12.21
(21)申请号 20168
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