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用于制造光电子器件的方法和光电子器件.pdfVIP

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  • 2023-05-24 发布于四川
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用于制造光电子器件的方法和光电子器件.pdf

    本发明涉及一种用于制造光电子器件的方法，包括如下方法步骤：A)提供半导体芯片(1)，所述半导体芯片具有有源区(11)，所述有源区设计用于发射辐射，B)将种晶层(4)施加到半导体芯片(1)上，其中种晶层(4)具有第一金属和与第一金属不同的第二金属，其中第二金属不如第一金属贵重，C)将结构化的光刻胶层(9)直接施加到种晶层(4)上，以及D)将焊料层(10)至少施加到种晶层(4)的未被光刻胶层(9)覆盖的区域上，其中在种晶层(4)中第一金属与第二金属的比例在95:5至99:1之间。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 110476259 A (43)申请公布日 2019.11.19 (21)申请号 20188

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