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- 2023-05-24 发布于四川
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本申请提供一种磁性隧道结结构及磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构包括垂直各向异性增强层，其是在氧化镁层中进行掺杂而形成矿盐晶体结构。本申请通过岩盐晶体结构的垂直各向异性增强层的设计，在不损伤自由层/垂直各向异性增强层的界面各向异性的前提条件下，降低了电阻面积积的同时保持稳定且足够的隧穿磁阻率，非常有利于MRAM电路读/写性能的提升与超小型MRAM电路的制作。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112736190 A
(43)申请公布日
2021.04.30
(21)申请号 20191
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