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本文公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置。薄膜晶体管包括基板、设置于基板上的栅极和覆盖栅极的栅绝缘层以及设置于栅绝缘层远离基板一侧的有源层，有源层与栅极的位置对应，有源层包括设置于栅绝缘层远离基板一侧的第一有源层和设置于第一有源层远离栅绝缘层一侧的第二有源层，其中，第一有源层的氧空位密度小于第二有源层的氧空位密度。本文通过在栅绝缘层上设置第一有源层和第二有源层，第一有源层的氧空位密度小于第二有源层的氧空位密度，可以有效降低电子或正电荷在栅绝缘层和有源层交界面被捕获的概率，提升薄膜晶体管的偏
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112186042 A
(43)申请公布日 2021.01.05
(21)申请号 202011092148.4
(22)申请日 2020.10.13
(71)申请人 京东
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