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- 2023-05-24 发布于四川
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本申请提供一种具有双势垒层的磁性隧道结结构及磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构包括设置于自由层上下两侧的双势垒层及延伸的对称结构。本申请通过双势垒层的设计有利于提升自由层的翻转的临界电流，通过双势垒层设计在不增幅总体电阻面积积的同时保持稳定且足够的隧穿磁阻率，非常有利于MRAM电路读/写性能的提升与超小型MRAM电路的制作。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112736192 A
(43)申请公布日
2021.04.30
(21)申请号 20191
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