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本发明公开了一种生长二维有机单晶膜的方法，包括以下步骤：在黏性液体基底上加入低沸点溶剂，于10～25℃放置1min，再加入高沸点溶剂，于10～25℃放置8～10小时，得到二维有机单晶膜，黏性液体基底为丙三醇，高沸点溶剂的沸点为110‑150℃。本发明的方法通过以黏性液体基底起到延缓溶剂挥发的作用，在低沸点溶剂上覆盖一层高沸点溶剂，利用低沸点溶剂先诱导出微晶颗粒，高沸点溶剂起到将小晶粒聚集并获得均匀平整的二维有机单晶，从而制备大面积二维有机单晶膜。本发明的二维有机单晶膜制成有机场效应晶体管后，该有
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112195504 A
(43)申请公布日
2021.01.08
(21)申请号 20191
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