伪栅加工工艺.pdfVIP

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2023-05-24 发布于四川
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伪栅加工工艺.pdf

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本发明提供了一种伪栅加工工艺，包括研磨原始伪栅的介质层以及刻蚀伪栅极。所述伪栅加工工艺通过研磨所述介质层直至所述伪栅极露出后，刻蚀所述伪栅极直至所述伪栅极的高度达到预设高度后，再循环N次刻蚀所述伪栅极，并控制每次刻蚀结束后所述伪栅极的高度降低目标深度，N为大于1的正整数，提高了伪栅刻蚀的可控性，有助于改善刻蚀不完全或者过刻蚀的情况，有利于确保晶体管器件的良好电学性能和运行可靠性。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115985770 A (43)申请公布日 2023.04.18 (21)申请号 202211709387.9 (22)申请日 2022.12.29 (71)申请人上海集成电路装备材料产业创新中