一种具有大电荷处理能力的读出电路及红外热成像仪.pdfVIP

一种具有大电荷处理能力的读出电路及红外热成像仪.pdf

  1. 1、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。。
  2. 2、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
  3. 3、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明提供一种具有大电荷处理能力的读出电路及红外热成像仪,红外探测模块将红外光转换为电流,并在第一MOS管导通时将电流输入积分电容模块进行积分,获得积分后的电荷,并在第二MOS管导通时将电荷转移至列级积分器。列级积分器在第三MOS管导通时使列级积分电容复位,并通过列级积分电容接收电荷,获得电压信号,并在第四MOS管导通时输出电压信号。根据本发明,可将用于复位的第三MOS管移至像素级单元电路之外,并通过运放对像素级单元电路内的积分电容模块进行间接复位,减少像素级单元电路中的晶体管数量,使像元面积内

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115855271 A (43)申请公布日 2023.03.28 (21)申请号 202310145779.5 (22)申请日 2023.02.22 (71)申请人 昆明钍晶科技有限公司 地址 650

文档评论(0)

知识产权出版社 + 关注
官方认证
文档贡献者

知识产权出版社有限责任公司(原名专利文献出版社)成立于1980年8月,由国家知识产权局主管、主办。长期以来, 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作, 经过多年来的积累,已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

版权声明书
用户编号:5333241143000144
认证主体北京中献电子技术开发有限公司
IP属地四川
统一社会信用代码/组织机构代码
91110108102011667U

1亿VIP精品文档

相关文档