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半导体装置的制造方法、记录介质以及基板处理装置.pdfVIP

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  • 2023-05-24 发布于四川
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半导体装置的制造方法、记录介质以及基板处理装置.pdf

    本发明提供一种技术，进行如下工序：准备基板的工序，所述基板形成有具有与硅氧化膜的接触面和与上述接触面相对的露出面的多晶硅膜；和向上述多晶硅膜的露出面供给通过对含有氢原子和氧原子的气体进行等离子体激发而生成的反应种的工序。由此，在半导体设备的制造工序中，抑制对基底的硅氧化膜的损伤，并提高多晶硅膜的电特性。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 108834429 A (43)申请公布日 2018.11.16 (21)申请号 20168

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