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双光栅半导体激光器.pdfVIP

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  • 2023-05-24 发布于四川
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双光栅半导体激光器.pdf

    本发明提供了一种双光栅半导体激光器，包括分布反射镜区和分布反馈区。其中，分布反射镜区包括：第一N电极，形成于第一衬底的下表面；第一衬底；第一量子阱材料层，形成于第一衬底的上表面；第一光栅，形成于第一量子阱材料层之上；第一包层材料，形成于第一光栅之上；分布反馈区包括：第二N电极，形成于第二衬底的下表面；第二衬底；第二量子阱材料层，形成于第二衬底的上表面；第二光栅，形成于第二量子阱材料层之上；第二包层材料，形成于第二光栅之上；第一P电极，形成于第二包层材料之上；其中，第一光栅的高度大于第二光栅的高度

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115986560 A (43)申请公布日 2023.04.18 (21)申请号 202211724247.9 (22)申请日 2022.12.30 (71)申请人 中国科学院半导体研究所 地址 1

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