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本申请公开了一种闪存器件的制造方法，涉及半导体制造领域。该闪存器件的制造方法包括在衬底上形成氧化层；在所述氧化层上形成浮栅层；在所述浮栅层的上方形成ONO层；在所述ONO层的上方形成控制栅层，并在所述控制栅层的形成过程中向所述控制栅层引入碳元素；在所述控制栅层上方形成字线介质层；形成所述闪存器件的字线结构；形成所述闪存器件的控制栅和浮栅；形成闪存器件的栅极侧墙；解决了现有闪存器件容易出现编程失效的问题；达到了在保持控制栅刻蚀工艺不变的情况下，改善刻蚀控制栅层时的刻蚀一致性，减小控制栅耗尽，优化闪
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112185971 A
(43)申请公布日 2021.01.05
(21)申请号 202010943978.7
(22)申请日 2020.09.10
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
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