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本申请公开了一种MIM电容的形成方法和MIM电容，该方法包括：在第二电极层、电容介质层和第一电极层暴露的表面形成保护层，第二电极层形成于电容介质层上，电容介质层形成于第一电极层上，第一电极层、电容介质层和第二电极层构成第一台阶型结构；对保护层进行第一次刻蚀，对保护层进行减薄；对保护层进行第二次刻蚀，去除第二电极层上的保护层的同时对保护层进行减薄；对保护层进行第三次刻蚀，使保护层的截面的外边缘为弧形，剩余的保护层形成侧墙。本申请通过在MIM电容的上电极和电容介质层的周侧形成外表面为弧形的侧墙以保护
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112185888 A
(43)申请公布日 2021.01.05
(21)申请号 202010958494.X
(22)申请日 2020.09.14
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
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