半导体存储器.pptxVIP

半导体存储器;1. ROM的构成;2. 工作原理;3. 看待ROM（存储器）的三个不同的角度 组合逻辑 查找表 (Look-up table) 译码－编码的过程;地 址;编程时VCC和字线电压提高;7.2.3 可擦除可编程只读存储器 一、EPROM(UVEPROM-Ultra Violet) SIMOS: Stacked-gate Injection MOS; 叠栅注入MOS;;(1) 擦除 用紫外线或X射线，距管子2厘米处照射15~20分钟； 阳光下1周，荧光灯下3年。;二、EEPROM/E2PROM 浮栅隧道氧化层MOS FlotoxMOS: Floating gate Tunnel Oxide MOS;EEPROM的编程过程：先擦除，再编程！ (1)擦除就是给浮栅的充电 ，相当于写“1” (2)写入就是将需要写“0”的单元的栅极放电;三、快闪存储器Flash Memory 按结构又分为NOR Flash和NAND Flash。基本单元为SIMOS--叠栅注入MOS，特点是浮栅Gf与衬底间SiO2更薄10~15nm(相比EPROM的30~40nm,E2PROM的20nm)，Gf与源极S有极小的重叠区，即隧道区。下面主要指的是NOR Flash。;擦除（写0）类似E2PROM，基于隧道效应;NAND Flash的擦除和写入（编程） ;NOR Flash同一位线上的单元是并联的关系，逻辑上为或非逻辑 NOR指的就是或非逻辑的意思;NOR Flash结构;NOR Flash和NAND Flash的比较:;虽然，ROM可读也可写，但写入速度慢，另外写入或擦除操作是有损操作，SIO2绝缘层很薄，随着写操作次数增加，也在不断损耗，一旦绝缘层彻底击穿，将不能再编程。所以可写ROM的编程次数都是有限的，典型次数为100万次(NAND Flash)。;MLC (Multi-Level Cell ) vs SLC (Single-Level Cell );见备注;Kingston 1G SD card;四、FeRAM/FRAM (Ferro-electric RAM);;FRAM晶体结构;(三) FRAM存储单元结构类似DRAM;前期的FRAM的每个存储单元使用2个场效应管和2个电容，称为“双管双容”(2T2C)，每个存储单元包括数据位和各自的参考位，简化的2T2C存储单元结构如图(a)所示。2001年Ramtron设计开发了更先进的“单管单容”(1T1C)存储单元。1T1C的FRAM所有数据位使用同一个参考位，而不是对于每一数据位使用各自独立的参考位。1T1C的FRAM产品成本更低，而且容量更大。简化的1T1C存储单元结构(未画出公共参考位)如图(b)所示。;(四) FRAM的读/写操作 FRAM保存数据不是通过电容上的电荷，而是由存储单元电容中铁电晶体的中心原子位置进行记录。直接对中心原子的位置进行检测是不能实现的。实际的读操作过程是：在存储单元电容上施加一已知电场 (即对电容充电)，如果原来晶体中心原子的位置与所施加的电场方向使中心原子要达到的位置相同，中心原子不会移动；若相反，则中心原子将越过晶体中间层的高能阶到达另一位置，在充电波形上就会出现一个尖峰，即产生原子移动的比没有产生移动的多了一个尖峰。把这个充电波形同参考位(确定且已知)的充电波形进行比较，便可以判断检测的存储单元中的内容是“1”或“0”。 无论是2T2C还是1T1C的FRAM，对存储单元进行读操作时，数据位状态可能改变而参考位则不会改变(这是因为读操作施加的电场方向与原参考位中原子的位置相同)。由于读操作可能导致存储单元状态的改变，需要电路自动恢复其内容，所以每个读操作后面还伴随一个“预充电”(pre-charge)过程来对数据位恢复，而参考位则不用恢复。晶体原子状态的切换时间小于1ns，读操作的时间小于70ns,加上“预充”时间60ns,一个完整的读操作时间约为130ns。 写操作和读操作十分类似，只要施加所要的方向的电场改变铁电晶体的状态就可以了，而无需进行恢复。但是写操作仍要保留一个“预充”时间，所以总的时间与读操作相同。FRAM的写操作与其它非易失性存储器的写操作相比，速度要快得多，而且功耗小。;7.3 随机存储器（RAM）;1. 六管NMOS静态存储单元;最细线宽 （最小特征尺寸）;7.3* DRAM:四管动态MOS存储单元;动态存储单元的电路结构还可以更简单，进一步提高存储密度，降低成本;DRAM芯片组 成的内存模块;7.4 存储器容量的扩展;例：用256字×8位RAM芯片组成1024字×8位存储器。;各片地址分配情况：;7.5 用存储器实现逻辑函数;例7.5.1用ROM实现由8421-BCD码到八段显示器的译码器。;;ROM