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2023-05-24 发布于四川
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本发明提供一种涡电流传感器和研磨装置，该涡电流传感器比公知技术改善了在晶片的边缘区域检测膜厚精度。用于测定形成于基板的导电性膜的膜厚的涡电流传感器具有：作为磁性体的磁芯(136)，其具有：基部(120)，及分别在基部(120)的第一方向(122)的两端部(186)设于基部(120)的外脚(134)；励磁线圈，其配置于磁芯(136)，用于在导电性膜中形成涡电流；及检测线圈，其配置于磁芯(136)，用于检测形成于导电性膜中的涡电流。基部(120)在第一方向(122)的长度，大于基部(120)在与第一

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112171503 A (43)申请公布日 2021.01.05 (21)申请号 202010624838.3 B24B 37/34 (2012.01)

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