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本发明公开一种适于芯片厂进行的发光二极管芯片的老化测试方法，包括：将待测试的发光二极管芯片的N面电极固定在金属支座上；将发光二极管芯片的P面电极与连接导线连接，然后将发光二极管芯片封闭在封罩的内腔中。将支座负极、支座正极接通电源，且测试电流为发光二极管芯片的额定电流，记录得到的电压、亮度、波长参数，记为初始参数；然后将增大电流至测试电流进行加速老化；完成后再次调节至额定电流进行测试，并记录得到的电压、亮度、波长参数，记为老化测试后参数。对比所述初始参数、老化测试后参数的变化，判断发光二极管芯片是
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115980538 A
(43)申请公布日 2023.04.18
(21)申请号 202310126320.0
(22)申请日 2023.02.17
(71)申请人 山东浪潮华光光电子股份有限公司
地
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