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本技术包括半导体存储器装置。半导体存储器装置包括：各自在垂直方向上延伸并且彼此面对的第一沟道图案和第二沟道图案；形成在第一沟道图案和第二沟道图案之间并在垂直方向上延伸的沟道分隔图案；包括导电图案的层叠物，每个导电图案围绕第一沟道图案、第二沟道图案和沟道分隔图案并且在垂直方向上彼此间隔开地层叠；设置在每个导电图案和第一沟道图案之间的第一存储器图案；以及设置在每个导电图案和第二沟道图案之间的第二存储器图案。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112242402 A
(43)申请公布日
2021.01.19
(21)申请号 20191
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