一种自发形成拓扑磁畴结构的稀土基材料及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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一种自发形成拓扑磁畴结构的稀土基材料及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种自发形成拓扑磁畴结构的稀土基材料，稀土基材料的化学式为R(Co1‑xZx)5，其中R为La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Y中的一种或多种的混合，Z为主族或过渡族元素中的一种或多种，0≤x≤1；稀土基材料R(Co1‑xZx)5在较宽的温度区间具有稳定的拓扑磁畴结构。本发明采用上述一种自发形成拓扑磁畴结构的稀土基材料及其制备方法，在高温、室温附近和低温区具有拓扑磁畴结构，在合适的条件下该材料中的斯格明子能自发形成，克服了斯格明子形成温区窄和需要磁

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113436818 A (43)申请公布日 2021.09.24 (21)申请号 202110703728.0 C22C 30/00 (2006.01)