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本发明公开了一种高亮度LED芯片及其制作方法，所述制作方法包括：一、在衬底上形成外延层；二、采用蒸镀或溅射的方法在外延层上形成电流扩展条，所述电流扩展条包括依次设置的底层、反射层、第一保护层、第二保护层和打线层；三、采用蒸镀或溅射的方法形成金属叠层结构，其中，沉积在外延层上的金属叠层结构为焊盘，用于封装打线，沉积在电流扩展条连接段上的金属叠层结构为连接层，用于连接焊盘和电流扩展条，所述焊盘和连接层同时形成，结构相同并为整体结构。本发明采用高强度的焊盘和连接层、以及高反射率的电流扩展条相结合来组成
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112242461 A
(43)申请公布日 2021.01.19
(21)申请号 202011116153.4
(22)申请日 2020.10.19
(71)申请人 佛山市国星半导体技术有限公司
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