半导体装置及形成半导体装置的方法.pdfVIP

半导体装置及形成半导体装置的方法.pdf

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本发明实施例涉及半导体装置及形成半导体装置的方法。一种半导体装置包含：衬底；离子植入硅层，其安置于所述衬底中；第一绝缘体层，其安置于所述离子植入硅层上方；有源装置，其安置于所述第一绝缘体层上方；及导电通路，其经配置以穿透所述第一绝缘体层以耦合所述离子植入硅层及所述有源装置。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112216695 A (43)申请公布日 2021.01.12 (21)申请号 20201

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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