基于二维氧化钼/硫化钼叠层结构的自选通器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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基于二维氧化钼/硫化钼叠层结构的自选通器件及其制造方法.pdf

本发明公开了一种二维氧化钼/硫化钼叠层结构的自选通器件及其制造方法，涉及微电子技术领域，包括上电极层、下电极层、功能层，功能层材料位于上电极层和下电极层之间。其中，所述功能层又由介质层I、介质层II、依次堆叠构成；所述介质层I为二维氧化钼(α‑MoO3)，介质层II为二维硫化钼(MoS2)的半导体材料。与现有技术相比，本发明通过叠层方式形成的自选通器件在不扩大占用面积的情况下，解决了交叉集成阵列中的串扰问题；介质层Ⅰ与介质层Ⅱ的堆叠结构实现了自选通性能，显示出良好的非线性特性，其非线性度可以达到

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113241404 A (43)申请公布日 2021.08.10 (21)申请号 202110333526.1 (22)申请日 2021.03.29 (71)申请人天津理工大学地址

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