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本发明公开了用于碳化硅单晶体生长过程中温度控制的组装式坩埚装置，包括：在进行直径2英寸至8英寸的碳化硅单晶体生长时，在坩埚上安装针对单晶体生长形态起到决定性作用的内部支撑管，为了能够对单晶体生长部分实现自由温度梯度调控，在此还设计安装了外部温度控制的高密度密封碳环，通过内部支撑管腔体的温度梯度变化结晶形态和品质也会有所不同；可以说用于结晶生长工艺中的温度梯度制作成本低廉且具有明显的效果，可以由此根据碳化硅单晶体生长的热应力和温度分布控制避免可能出现的晶体多型现象。另一方面，通过本方案还可使晶体生
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112210817 A
(43)申请公布日 2021.01.12
(21)申请号 202010987508.0
(22)申请日 2020.09.18
(71)申请人 山东国晶电子科技有限公司
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