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本发明公开了一种用于双面异质结光伏电池的ITO膜的图形化方法,包括以下步骤:S1,制备透明导电薄膜层;S2,在透明导电薄膜层上部分区域,采用高分子材料分别以印刷方式形成图形化掩膜;S3,图形化掩膜经过热烘烤方式固化;S4,用真空溅渡法将氮化硅或氧化硅覆盖在双面异质结光伏电池表面;S5,以热水浴或热水浴/超音震荡组合方式去除透明导电薄膜层上的图形化掩膜及图形化掩膜上的氮化硅或氧化硅,露出已图形化的透明导电薄膜层。通过该方法在ITO膜上实现图形化,工艺简单,无污染,可缩短工时和降低生产成本。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112242457 A
(43)申请公布日
2021.01.19
(21)申请号 20191
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