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发光元件及其制造方法.pdfVIP

发光元件及其制造方法.pdf

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    本发明公开一种发光元件及其制造方法。发光元件包含载体、第一半导体结构、反射层、第二半导体结构以及跨桥电极。第一半导体结构位于载体上且包含第一半导体层，第二半导体层，以及第一活性层形成于第一半导体层及第二半导体层之间。反射层位于第一半导体结构与载体之间。第二半导体结构位于载体与反射层之间，且包含第二活性层以及第三半导体层，第三半导体层位于反射层与第二活性层之间且具有第一侧表面。跨桥电极形成于第一侧表面上。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112234126 A (43)申请公布日 2021.01.15 (21)申请号 202010984325.3 H01L 27/15 (2006.01)

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