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本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种氮化镓发光二极管外延结构、LED及其制备方法，包括依次设置的衬底、缓冲层、N型层、多量子阱层及P型层，所述多量子阱层与所述P型层之间设有势垒调配层，所述势垒调配层包括沿外延方向依次沉积的AlaN层、AlbInxGa1‑b‑xN层、In1‑cAlcN层及N极性AldGaN/N极性MgN超晶格层。势垒调配层经多层材料层共同配合，在减少电子溢流的同时，有效增加并加速空穴注入，增强P型层的电导率与空穴注入率，由此有效提升发光效率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116154059 A
(43)申请公布日 2023.05.23
(21)申请号 202310351870.2
(22)申请日 2023.04.04
(71)申请人 江西兆驰半导体有限公司
地址 3
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