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一种碳化硅磨削工艺.pdfVIP

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  • 2023-05-25 发布于四川
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一种碳化硅磨削工艺.pdf

    本发明公开了一种碳化硅磨削工艺，属于碳化硅领域，一种碳化硅磨削工艺，包括有以下步骤：S1：参数设置，检测碳化硅基体的形状和尺寸，并根据其形状和尺寸对打磨动作的参数进行设置；S2：一次打磨，根据步骤一设置的参数对碳化硅基体进行粗磨处理；S3：二次打磨，根据步骤一设置的参数对碳化硅基体进行精磨处理，得到碳化硅片成品；S4：清洗，对二次打磨后的碳化硅片成品进行清洗和甩干，清洗、甩干后输出清洁后的碳化硅片成品；它可以实现，根据碳化硅基体的形状和尺寸设置对碳化硅基体进行粗磨和细磨的参数，同步提升碳化硅片成

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116141085 A (43)申请公布日 2023.05.23 (21)申请号 202310148463.1 (22)申请日 2023.02.22 (71)申请人 无锡弘元半导体材料科技有限公司 地

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