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本发明提供一种MRAM阵列的测试电路，包括：列译码器、列选择器、字线译码器、行选择器以及测试阵列，测试阵列的一条对角线上的存储单元为测试单元，所述测试单元的MTJ底电极连接至晶体管漏极，且所述测试单元的MTJ底电极连接至所述测试单元所在行的的测试信号线，除所述测试单元以外的全部存储单元的MTJ底电极与晶体管漏极处于断开状态，且MTJ底电极和晶体管漏极浮空；通过列译码器和列选择器，将位线信号端和源线信号端选择连接至测试单元所在列的位线和源线；通过字线译码器和行选择器，将测试单元所在行的测试信号线选
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112259152 B
(45)授权公告日 2022.06.24
(21)申请号 201910662241.5 (56)对比文件
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