光刻工艺热点的光学邻近修正的方法.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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光刻工艺热点的光学邻近修正的方法.pdf

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本发明提供了一种光刻工艺热点的光学邻近修正的方法，包括：通过将所述热点标记区域调整为矩形，并在所述矩形中划出水平中分线和垂直中分线；将所述水平中分线和所述垂直中分线均延长第一延展值，并选取所述水平中分线和所述垂直中分线中与所述第一区域或所述第二区域相交的一者作为标记线；将所述热点标记区域中垂直于所述第一扩展线的边长的两侧各延长第二延展值，以形成标记区域；所述第一区域和所述第二区域中与所述标记区域相交的边线为扩展线段。可以减少所述扩展线段的数量，进而减少自动光学邻近修正的过程中产生新的工艺热点的概

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112230509 A (43)申请公布日 2021.01.15 (21)申请号 202011199811.0 (22)申请日 2020.10.30 (71)申请人上海华力微电子有限公司