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本发明公开了一种高效制备氮化镓衬底的方法，其特征在于：在硅衬底正反两面上用卤化物气相外延法生长氮化镓厚膜，控制生长条件，使双面氮化镓厚膜的厚度基本相同，酸或碱溶液腐蚀去除硅衬底，可以得到两片氮化镓厚膜衬底。本发明提出了利用硅衬底正反双面同时外延GaN厚膜，控制生长条件使得两面外延的氮化镓厚度相等或相近、分布均匀，这样两面外延的氮化镓对于硅衬底的应力减弱或相互抵消，从而得到高质量低应力GaN厚膜的方法。生长完成后的样品在碱溶液或酸溶液中进行腐蚀即可得到2片氮化镓衬底。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112259446 A
(43)申请公布日 2021.01.22
(21)申请号 202011129338.9 C23C 14/06 (2006.01)
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