一种半导体结构的制造方法.pdfVIP

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2023-05-26 发布于四川
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一种半导体结构的制造方法.pdf

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本发明提出一种半导体结构的制造方法，包括：将衬底放置在第一刻蚀腔体中，所述衬底上包括垫氧化层和垫氮化层；向所述第一刻蚀腔体中通入刻蚀气体，以对所述衬底进行刻蚀，而在所述衬底中形成至少一沟槽，所述沟槽从所述垫氮化层延伸至所述衬底中；将已形成所述沟槽的所述衬底从所述第一刻蚀腔体转移至第二刻蚀腔体，所述第一刻蚀腔体和所述第二刻蚀腔体之间为真空状态；向所述第二刻蚀腔体中通入氧气，以形成氧气等离子体，所述氧气等离子体与所述沟槽暴露出的所述衬底反应，而在所述沟槽暴露出的所述衬底表面形成衬氧化层。本发明提出的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112289737 B (45)授权公告日 2021.05.14 (21)申请号 202011565146.2 H01L 21/02 (2006.01) (22)申请日