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一种半导体阻挡层的制备方法及阻挡层薄膜.pdfVIP

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  • 2023-05-26 发布于四川
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一种半导体阻挡层的制备方法及阻挡层薄膜.pdf

    本发明提供了一种半导体阻挡层的制备方法及阻挡层薄膜，该制备方法包括：在采用原子层沉积工艺制备该阻挡层的每个周期内，加热半导体基底，在第一脉冲时间内向反应腔室内的该半导体基底上通入金属化合物气体，接着在第二脉冲时间内通入载气进行吹扫，再在第三脉冲时间内通入NH3，以及在第四脉冲时间内再次通入该载气进行吹扫，重复多个周期直至满足预设工艺要求；反应初始经过一个或多个周期后，在该第一脉冲时间内同时通入硅源气体；以及随着反应的进行，逐步加大该硅源气体和该金属化合物气体的流量比例，以使得该阻挡层中沿靠近该半

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115985764 A (43)申请公布日 2023.04.18 (21)申请号 202211613898.0 C23C 16/24 (2006.01)

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