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- 2023-05-26 发布于四川
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本发明涉及集成光学陀螺技术领域,特别涉及一种光子集成片上激光陀螺及其制备方法,光子集成片上激光陀螺包括:自上而下设置的电子集成层、光子集成层及衬底层;上层电子集成层采用SIP电学芯片;中层光子集成层采用异质集成;下层衬底层为硅片;光子集成层与电子集成层通过键合工艺完成电互连。光子集成片上激光陀螺的制备方法包括:在硅晶圆上制备楔形微环腔;制备氮化硅光波导并实现光互连;异质集成有源器件;在硅片的二氧化硅表层制备图形化金属实现电互连;集成SIP电学芯片。本发明提供的光子集成片上激光陀螺及其制备方法,解
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112284370 B
(45)授权公告日 2021.05.25
(21)申请号 202011508079.0 (51)Int.Cl.
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