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横向变掺杂终端结构及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-26 发布于四川
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横向变掺杂终端结构及其制造方法.pdf

    本申请涉及功率半导体领域，具体而言，涉及一种横向变掺杂终端结构的制造方法及其制备得到的横向变掺杂终端结构。横向变掺杂终端结构的制造方法包括以下步骤：在衬底上生长的氧化层上刻蚀出一阶梯状区域；在氧化层的阶梯状区域上方向衬底内注入掺杂离子，然后高温推进；在结构表面生长一层隔离氧化层；在隔离氧化层表面形成场板。通过控制终端氧化层的刻蚀厚度，形成阶梯渐变结构，离子注入推进后，实现终端离子注入剂量的沿着阶梯渐变方向的变掺杂，实现了终端窗口的大角度倾斜边缘和阶梯渐变结构，综合了结终端扩展结构和横向变掺杂结构

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112310188 A (43)申请公布日 2021.02.02 (21)申请号 20191

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