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- 2023-05-26 发布于四川
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本发明提供了一种基于二维硒化亚锡的可调波长偏振器及其设计方法，属于新型偏振光学器件领域，偏振器包括带有二氧化硅的硅基底和二维SnSe层；二维SnSe层用于当入射光以不同角度斜射至其表面时，将p光反射率最小值对应的不同波长作为工作波长，实现通过调控入射角对偏振态的动态调控；其中：通过不同入射角、二维SnSe层的厚度、SiO2的厚度以及SnSe复折射率张量构建4×4传输矩阵，获取不同的消光比以及插入损耗；通过消光比和插入损耗构建评价指标，获取评价指标最大值对应的二维SnSe层的厚度以及SiO2的厚度
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115980902 A
(43)申请公布日 2023.04.18
(21)申请号 202211614427.1
(22)申请日 2022.12.15
(71)申请人 华中科技大学
地址 430074
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