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本申请部分实施例提供了一种超声传感器，包括：芯片，所述芯片包括第一像素电极阵列，所述第一像素电极阵列包括多个第一像素电极；再布线扩展层，设置在所述芯片上方，所述再布线扩展层包括第二像素电极阵列，所述第二像素电极阵列包括多个第二像素电极，多个所述第二像素电极分别与多个所述第一像素电极连接，所述第二像素电极阵列的面积大于所述第一像素电极阵列的面积；声电转换层，设置在所述再布线扩展层上方，用于进行超声波信号和电信号的转换。实现了在不增大芯片面积的情况下增加识别区域。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112257602 A
(43)申请公布日 2021.01.22
(21)申请号 202011142527.X
(22)申请日 2020.06.12
(62)分案原申请数据
2020105
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