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一种磁场传感器，所述磁场传感器包括以半桥配置布置的至少两个磁阻(MR)传感器元件。所述MR传感器元件中的每一个包括具有磁各向异性与复合磁化的磁区。使用斜入射沉积(OID)技术产生所述磁各向异性，其中相对于与所述磁场传感器的表面垂直朝向的参考线以非零沉积角沉积所述磁区。一种系统，所述系统包括编码器以及半桥配置的传感器元件。所述编码器响应于所述编码器的活动而产生具有预定磁变的外部磁场，通过所述传感器元件检测所述磁场。所述传感器元件的所述复合磁化在垂直于所述外部磁场的方向的优选方向上通过OID对齐，而
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112305471 A
(43)申请公布日 2021.02.02
(21)申请号 202010695571.7
(22)申请日 2020.07.16
(30)优先权数据
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