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2023-05-27 发布于四川
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具有化合物半导体的半导体器件结构及其制造方法.pdf

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本发明涉及一种半导体结构(100)，包括：衬底(10)，具有位于第一衬底侧(1)上的第一主表面(11)和位于相对的第二衬底侧(2)上的第二主表面(12)；以及垂直通孔(13)，在第一主表面(11)和第二主表面(12)之间完全延伸穿过衬底(10)。在第一衬底侧(1)上，与通孔(13)电连接的金属化层(31)布置在通孔(13)的区域中。电连接至金属化层(31)的化合物半导体层(21)布置在金属化层(31)上。此外，本发明涉及一种用于制造这种半导体器件结构(100)的方法。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112310024 A (43)申请公布日 2021.02.02 (21)申请号 202010758839.7 (22)申请日 2020.07.31 (30)优先权数据 102019211

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