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本专利申请涉及形成微电子装置的方法以及相关微电子装置和电子系统。一种形成微电子装置的方法包括形成堆叠结构，所述堆叠结构包括以层布置的竖直交替的绝缘结构和另外的绝缘结构。所述层中的每个层单独地包括所述绝缘结构之一和所述另外的绝缘结构之一。形成第一沟槽，所述第一沟槽部分竖直延伸穿过所述堆叠结构。所述第一沟槽包括第一部分和第二部分，所述第一部分具有第一宽度，所述第二部分位于所述第一部分的水平边界处并且具有比所述第一宽度大的第二宽度。在所述第一沟槽内形成介电结构。所述介电结构包括接近所述沟槽的所述第一部
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112331656 A
(43)申请公布日 2021.02.05
(21)申请号 202010768639.X H01L 27/11568 (2017.01)
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