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2023-05-27 发布于四川
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一种具有HVBN结构的RESURF LDMOS器件.pdf

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本发明公开了一种具有HVBN结构的RESURFLDMOS器件，包括P型半导体衬底，在P型半导体衬底上设置深N阱和深P阱，深P阱中设置P阱，源端N+区和源端P+区设置在P阱中且位于器件的表面；深N阱的上端面设置场氧化层，场氧化层的一端与漏端N+区相连，场氧化层的另一端设置栅氧化层和多晶硅栅；多晶硅栅设置在栅氧化层之上，两者共同延伸至器件表面的源端N+区；深N阱中设置HVBN区、N阱、NTOP区和PTOP区，漏端N+区设置在N阱中且位于器件的表面；NTOP区设置在PTOP区之上，NTOP

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112349778 B (45)授权公告日 2022.02.22 (21)申请号 201910730097.4 (56)对比文件 (22)申请日 2019.08.08

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