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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，基底表面具有介质层；在介质层内形成开口，且开口底部暴露出部分基底表面；在开口底部和侧壁表面、以及介质层表面形成材料膜；在材料膜表面形成阻挡膜；去除开口底部的阻挡膜，在开口侧壁表面和介质层表面形成初始阻挡层；形成初始阻挡层之后，在开口内以及介质层表面形成导电材料膜；采用退火工艺，使开口底部的基底和材料膜、位于材料膜表面的导电材料膜相互反应，在开口底部形成接触层；形成接触层之后，平坦化导电材料膜、初始阻挡层以及材料膜，直至暴露出介质层表面，在开口侧
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112349652 A
(43)申请公布日
2021.02.09
(21)申请号 20191
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