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2023-05-27 发布于四川
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一种MRAM的写入方法、装置以及电路.pdf

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本申请公开了一种MRAM的写入方法，包括：当对MRAM进行写0操作时，将参考电阻的阻值设置为第一电阻值；在写0操作的写周期内，通过将第一电阻值与阻性存储单元的阻值进行比较，判断是否写入成功，并当写入失败时重新进行写入，直至写入成功或写入次数达到预设阈值；当对MRAM进行写1操作时，将参考电阻的阻值设置为第二电阻值；在写1操作的写周期内，通过将第二电阻值与阻性存储单元的阻值进行比较，判断是否写入成功，并当写入失败时重新进行写入，直至写入成功或写入次数达到预设阈值。该方法能够提高写入成功率，同时避免

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115985363 A (43)申请公布日 2023.04.18 (21)申请号 202111204583.6 (22)申请日 2021.10.15 (71)申请人浙江驰拓科技有限公司地址 31

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