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砷化镓电池及其制备方法.pdfVIP

砷化镓电池及其制备方法.pdf

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    本发明提供了一种砷化镓电池及其制备方法。该砷化镓电池包括第一外延结构，第一外延结构包括顺序层叠的第一p型背层、第一p型基区、第一n型发射层和n型窗口接触层，n型窗口接触层为AlyIn(1‑y)P层，0.45≤y＜0.6。上述结构具有较高的透光率，能够采用其来代替常规的AlGaInP窗口层、GaAs接触层结构；并且，无需再进行透光度较差的GaAs接触层刻蚀，可直接在其窗口接触层上进行增透膜制作及选择性电极制作，减少了工序也避免了接触层刻蚀时不良现象的发生，提高了电池效率。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112349796 A (43)申请公布日 2021.02.09 (21)申请号 20191

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