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一种BiVO4界面光催化剂、制备方法及其应用.pdfVIP

一种BiVO4界面光催化剂、制备方法及其应用.pdf

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    本发明属于光催化材料领域，更具体地，涉及一种BiVO4界面光催化剂、制备方法及其应用。所述光催化剂包括BiVO4基底，形成于BiVO4基底表面的配体单分子层，负载于该配体单分子层上的贵金属；其中，所述配体单分子层通过包含有给电子基团的配体与BiVO4基底表面发生缩合反应得到，所述贵金属通过与所述给电子基团配位负载于该配体单分子层上，所述BiVO4界面光催化剂为疏水性光催化剂。本发明通过对光催化剂局域配位环境和整体表/界面极性的调控，实现光催化剂反应活性位点上的电子的富集和材料表界面特性的改变。由

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112316936 B (45)授权公告日 2022.03.29 (21)申请号 202011319963.X CN 104192789 A

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