原创力文档- 1、本文档共37页，其中可免费阅读36页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本公开的各种实施例涉及一种存储器装置，所述存储器装置包括上覆在自旋轨道扭矩(SOT)层之上的分流层。磁隧道结(MTJ)结构上覆在半导体衬底之上。磁隧道结结构包括自由层、参考层及设置在自由层与参考层之间的隧道障壁层。底部电极通孔(BEVA)位于磁隧道结结构之下，其中底部电极通孔从磁隧道结结构横向偏移一横向距离。自旋轨道扭矩层垂直设置在底部电极通孔与磁隧道结结构之间，其中自旋轨道扭矩层沿所述横向距离连续延伸。分流层延伸跨过自旋轨道扭矩层的上表面，且延伸跨过所述横向距离的至少一部分。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112310275 A
(43)申请公布日 2021.02.02
(21)申请号 202010696355.4 H01L 43/02 (2006.01)
文档评论（0）